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    我院希達工程承接的英諾賽科(蘇州)研發樓EPC總承包項目全球研發中心啟用儀式隆重舉行

    日期: 2023-12-06

            近日,我院希達工程承接的英諾賽科(蘇州)半導體有限公司研發樓EPC總承包項目——全球研發中心啟用儀式在吳江汾湖隆重舉行,電子院總建筑師劉書興、希達工程董事長劉奕、副總經理劉玥受邀出席儀式。

    英諾賽科(蘇州)全球研發中心啟用儀式

            英諾賽科(蘇州)半導體有限公司研發樓項目是繼蘇州工廠項目后,我院希達工程與英諾賽科公司繼續深入合作的又一EPC總承包項目。研發樓是集研發、辦公、會議、培訓、展覽、接待、餐飲、交流、休憩等功能于一體的英諾賽科全球研發中心和基地,研發中心的啟用是英諾賽科第三代半導體全球化的又一重大里程碑。 

            英諾賽科(蘇州)研發樓EPC總承包項目自2021年11月26日正式開工,2023年11月20日全球研發中心正式啟用。兩年的建造過程中,希達人面對建筑造型獨特、結構復雜、異型構件多等多重困難與挑戰,繼承和發揚敢想敢干、能打苦仗、能打硬仗的拼搏精神,用心超越期望,打造出讓客戶滿意的精品工程,贏得客戶的高度信賴和認可。

    啟用儀式上希達項目成員合影

            隨著項目的成功交付和啟用,希達工程將繼續總結經驗,提升隊伍綜合能力,不斷開拓進取,創新突破,為電子院的高質量發展貢獻希達智慧和力量。

            英諾賽科是全球領先的第三代半導體高新技術企業,致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發與制造。擁有全球最大規模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產基地,當前產能15000片/月,產品設計及性能處于國際先進水平。英諾賽科提供從30V-700V的高、中、低壓全功率氮化鎵產品,涵蓋晶圓、分立器件、合封芯片三大品類,并為客戶提供全氮化鎵方案設計參考。自2015年成立至今,英諾賽科已獲專利700多項,累計出貨量突破4億顆。產品可廣泛應用于消費電子、數據中心、汽車電子及新能源等前沿領域。

    蘇州英諾賽科(蘇州)研發中心實景圖

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