近日，由我院承接的英諾賽科（蘇州）半導體有限公司第三代半導體EPC項目8英寸硅基氮化鎵芯片順利投入量產，同時量產暨研發樓奠基儀式在江蘇汾湖高新區隆重舉行。
　　我院總經理夏連鯤、首席技術官楊光明、院副總工程師劉書興，希達工程董事長劉奕、副總經理劉玥等受邀出席儀式。
　　本次奠基的研發樓由我院負責設計，目前已經完成設計方案報審，計劃年底前開工建設。研發樓建筑面積3.5萬平方米，共10層，高50米，涵蓋辦公、研發、餐廳三大功能。我院將充分發揮設計、管理、合作建設的綜合優勢，以專業、優質、精良的服務，助力英諾賽科（蘇州）半導體有限公司生產與研發各項目順利進行。
　　英諾賽科（蘇州）半導體有限公司致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化、是全球唯一能夠同時量產低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的公司，第三代半導體項目8英寸硅基氮化鎵芯片投入量產標志著英諾賽科成為世界上第一家實現8英寸硅基氮化鎵（GaN）量產的企業。量產后產能將逐步爬坡，2021年底產能可達6000片/月，2022年底項目全部達產后蘇州工廠將實現年產能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓。